近日，东莞市汉思新材料科技有限公司（以下简称“汉思新材料”）成功斩获“一种温控晶振小间距芯片填充胶及其制备方法”发明专利（公开号：CN121343527A）。依托突破性创新配方设计，该产品可实现≤50微米窄间隙场景下的全浸润式填充，从根源上彻底杜绝空洞缺陷，为超薄、小间距芯片封装模组提供高可靠性核心技术支撑，填补了温控晶振领域窄间隙填充的技术空白。
精准锚定核心需求，攻克封装行业痛点
此次专利技术以温控晶振（TCXO）等高端微型电子元件为核心应用目标，针对性解决其封装过程中的关键可靠性难题。作为通信、导航、5G基站、AI服务器等设备的核心时钟源，温控晶振对封装完整性、抗热应力及耐腐蚀性要求极高，而小间距封装场景下的空洞缺陷，正是制约其性能升级的核心瓶颈。
在高密度、小间距（＜100μm）芯片封装领域，传统底部填充胶普遍存在粘度偏高、流动性不足、脱泡不彻底等问题，易在芯片与基板间隙残留气泡或形成空洞。这些缺陷会直接导致热应力集中、焊点开裂、潮气侵入腐蚀等连锁反应，最终引发器件失效，严重影响终端产品的稳定性与使用寿命。
多维创新突破，构筑技术竞争壁垒
汉思新材料凭借多年在电子胶粘剂领域的技术沉淀，通过材料配方与工艺的协同优化，形成五大核心创新点，实现窄间隙填充技术的跨越式提升：
- 低粘高流体系：采用定制化低粘度树脂基质，搭配高效流动促进剂，确保胶液在≤50微米窄间隙内快速完成毛细浸润填充，无死角覆盖；
- 复合填料优化：创新采用纳米/微米复合球形二氧化硅填料，精准调控粒径分布，既提升胶层致密性，又保障填充流动性，杜绝间隙残留；
- 高效脱泡方案：通过引入专用消泡/脱泡助剂，结合真空混合工艺，从源头消除胶液内部气泡，彻底规避空洞产生；
- 热性能精准匹配：严格控制固化收缩率与热膨胀系数（CTE），实现与温控晶振、PCB基板的热性能高度适配，降低热应力损伤；
- 工艺兼容性强：支持围坝填充（Dam & Fill）工艺，可精准控制胶液范围，有效防止溢胶，适配自动化量产需求。
产业化前景广阔，赋能高端制造升级
该专利技术的成功产业化，将为高端电子封装领域带来多重价值突破。一方面，可显著提升高频通信设备、车规级晶振、AI服务器时钟模块等产品的封装良率与长期可靠性，助力终端设备向更轻薄、高密度、高稳定性方向升级；另一方面，将打破进口高端填充胶在该领域的垄断格局，推动国产电子新材料在先进封装领域的深度替代与自主可控。
凭借优异的性能表现，该产品可广泛应用于高端智能手机、柔性OLED、可穿戴设备、车载电子等终端场景，为电子行业突破小间距封装瓶颈、提升产品核心竞争力提供全新技术路径。
深耕技术创新，引领国产材料崛起
作为电子胶粘剂领域的深耕者，汉思新材料始终以技术创新为核心驱动力，积累了多项核心专利与资质认证，构建了完善的高端封装材料技术体系。此次专利的成功申请，不仅彰显了企业在小间距封装材料领域的深厚技术积淀，更标志着我国在温控晶振专用填充胶领域实现关键技术突破。
未来，汉思新材料将持续聚焦电子封装领域的技术痛点与市场需求，加速推动专利成果产业化落地，以更精准、高效的材料解决方案赋能半导体、显示面板、车载电子等高端制造业升级，助力我国电子新材料产业突破核心技术壁垒，实现高质量发展。
文章来源：汉思新材料
