环贸财神
2026-03-30
SiC MOSFET 米勒平台震荡的根源分析与 Layout 优化策略 宽禁带（Wide Bandgap, WBG）半导体材料的突破性进展，尤其是碳化硅（SiC）技术的成熟与商业化，正在深刻重塑现代电力电子变换器的设计范式与系统边界。与传统的硅（Si）基绝缘栅双极型晶体管（IGBT）或超结 MOSFET 相比，SiC MOSFET 具有更高的击穿电场强...
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2026-02-02
SiC碳化硅MOSFET精准驱动电源架构的解析与基本半导体SiC碳化硅功率器件全栈生态的市场统治力 BASiC Semiconductor基本半导体一级代理商倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源、电力电子设备和新能源汽车产业链。倾佳电子聚焦于新能源、交通电动化和数字化转型三大方向，...
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2025-12-07
探索 onsemi NVMJD010N10MCL 双 N 沟道 MOSFET 的卓越性能 在电子设计领域，MOSFET 作为关键的功率开关元件，其性能直接影响着整个系统的效率和稳定性。今天，我们来深入了解 onsemi 推出的一款双 N 沟道 MOSFET——NVMJD010N10MCL，看看它有哪些独特之处。 文件下载：onsemi NVMJD...
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2025-06-26
之前两篇文章我们分别介绍了CoolSiC MOSFET G2的产品特点及导通特性（参考阅读：CoolSiC MOSFET Gen2性能综述，CoolSiC MOSFET G2导通特性解析），今天我们分析一下在软开关和硬开关两种场景下，如何进行CoolSiC MOSFET G2的选型。 G2在硬开关拓扑中的应用 除了RDS(on)，开关损耗在SiC MOS...
