环贸财神
2026-03-30
SiC碳化硅功率半导体时代的EMI建模实战：如何利用示波器FFT结果反推PCB布线缺陷 宽禁带半导体技术演进与电磁兼容（EMC）的深刻变革 在全球能源结构转型与电气化进程全面加速的时代背景下，功率电子技术正处于一场由底层材料驱动的深刻革命之中。传统的硅（Si）基功率器件（如Si IGBT和Si MOSFET）在经历了数十年的发展后，其物理性能已逐渐...
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2026-03-26
前 言 在有源电力滤波器（APF）系统中，功率器件的选择直接影响整机的滤波性能、效率与可靠性。随着电网电能质量要求日益提高，APF需要具备更高的开关频率、更低的损耗以及更强的过载能力。碳化硅功率器件以其优异的高频、高温特性，正成为提升APF性能的关键技术路径。 本文将系统介绍基本半导体碳化硅产品及配套驱动解决方案在APF中的应用，通过仿真数据与产品...
环贸财神
2026-02-02
SiC碳化硅MOSFET精准驱动电源架构的解析与基本半导体SiC碳化硅功率器件全栈生态的市场统治力 BASiC Semiconductor基本半导体一级代理商倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源、电力电子设备和新能源汽车产业链。倾佳电子聚焦于新能源、交通电动化和数字化转型三大方向，...
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2025-06-14
引言 在碳化硅衬底加工过程中，切割进给量是影响其厚度均匀性的关键工艺参数。深入探究二者的量化关系，并进行工艺优化，对提升碳化硅衬底质量、满足半导体器件制造需求具有重要意义。 量化关系分析 切割机理对厚度均匀性的影响 碳化硅硬度高、脆性大，切割过程中，切割进给量直接影响切割力大小与分布 。当进给量较小时，切割工具与碳化硅衬底接触区域的切削力相对较小且稳定...
硬件做减法，融合做加法：移远卫星架构毫米波雷达赋能ADAS高阶智驾
2026-05-05
